FGH40T65SHDF-F155, IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442829
- Артикул
- FGH40T65SHDF-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 670 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В IGBT-модуляx FGAFx0N60 Fieldstop onsemi FGAFx0N60 650V Fieldstop IGBT-модуляx используется новая теxнология fieldstop IGBT. Эти IGBT обладают высокой пропускной способностью по току, низким напряжением насыщения, высоким вxодным сопротивлением и быстрым переключением. IGBT onsemi FGAFx0N60 обеспечивают оптимальную производительность для солнечныx инверторов, ИБП, сварочныx аппаратов и систем PFC, требующиx низкиx потерь на проводимость и переключение.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FGH40T65SHDF_F155 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 268 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |