Моя заявка (0)
FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048171628
Артикул
FGH40T120SMD
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO247-3
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FGH40T120SMD
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 770 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.

Технические параметры

CaseTO247-3
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FGH40T120SMD
MountingTHT
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г7.5
Gate charge0.37µC
Technology:Si
Channel TypeN
ManufacturerONSEMI
Package TypeTO-247
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3L
Product Type:IGBT Transistors
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Collector current40A
Power dissipation277W
Product Category:IGBT Transistors
Type of transistorIGBT
Gate-emitter voltage±25V
Pd - Power Dissipation:555 W
Pulsed collector current160A
Transistor ConfigurationSingle
Collector-emitter voltage1.2kV
Maximum Power Dissipation555 W
Maximum Gate Emitter Voltage±25V
Operating Temperature Range:-55 C to+175 C
Gate-Emitter Leakage Current:+/-400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-25 V, 25 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Maximum Continuous Collector Current80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация