FGH40T120SMD, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002307853
- Артикул
- FGH40T120SMD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO247-3
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FGH40T120SMD
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 1 070 ₽)
Минимальный заказ: 28 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FGH40T120SMD |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.5 |
| Gate charge | 0.37µC |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | TO-247-3LD |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3L |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Collector current | 40A |
| Power dissipation | 277W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±25V |
| Pd - Power Dissipation: | 555 W |
| Pulsed collector current | 160A |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 555 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 475 |