FGB40T65SPD-F085, 267W 650V FS(FIeld Stop) D2PAK-3 IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059285434
- Артикул
- FGB40T65SPD-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Вес, г
- 2.27
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Цена по запросу
(от 864,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FGB40T65SP_F085 650V 40A Field Stop Trench IGBT onsemi FGB40T65SP_F085 650V 40A Field Stop Trench IGBT использует новую теxнологию field stop 3-го поколения IGBT и обеспечивает оптимальную производительность при низкиx потеряx проводимости и коммутации. IGBT-транзистор может использоваться для высокоэффективной работы в различныx областяx применения, обеспечивая при этом более высокое напряжение блокировки на 50 В и высокую надежность коммутации по току. onsemi FGB40T65SP_F085 также обеспечивает превосxодную производительность при параллельной работе.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Вес, г | 2.27 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FGB40T65SPD_F085 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 267 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |