FGA6560WDF, Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002309444
- Артикул
- FGA6560WDF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 649 ₽)
Минимальный заказ: 127 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная микросxема IGBT N-CH 650V 120A 306 Вт с 3-контактным разъемом (3 + Tab) TO-3P
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | Trench|Field Stop |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5(Max)mm |
| Package Length | 16.2(Max)mm |
| Supplier Package | TO-3P |
| Standard Package Name | TO |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 306 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 120 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.8 |