FGA60N65SMD, Транзистор IGBT 650В 120А 600Вт [TO-3PN.]
![FGA60N65SMD, Транзистор IGBT 650В 120А 600Вт [TO-3PN.]](https://static.epl-electro.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000394627
- Артикул
- FGA60N65SMD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 6.5
- Корпус
- TO-3PN
- Технология/семейство
- Field Stop/Gen 2
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+175
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Вес, г | 6.5 |
| Корпус | TO-3PN |
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 120 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |