FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, TO3P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066253054
- Артикул
- FGA60N65SMD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO3PN
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 284nC |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of package | tube |
| Collector current | 60A |
| Power dissipation | 300W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 180A |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Maximum Power Dissipation | 600 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| кол-во в упаковке | 30 |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 120 A |