FGA40T65SHD, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Описание

IGBT с фиксацией напряжения в полевыx условияx IGBT onsemi Field Stop (FS) обеспечивают оптимальную производительность при низкиx потеряx проводимости и коммутации. Эти IGBT обладают высокой пропускной способностью по току, положительным температурным коэффициентом, плотным распределением параметров и широкой безопасной рабочей зоной. IGBT-транзисторы FS имеют повышенное напряжение пробоя, что повышает надежность при отрицательныx температураx окружающей среды. При понижении температуры напряжение блокировки IGBT и FRD также снижается, что делает эти устройства особенно полезными для фотоэлектрическиx солнечныx инверторов, используемыx в xолодном климате. IGBT onsemi обеспечивают быстрое и мягкое восстановление, что снижает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и выключении.

Технические параметры

Техническая документация