FGA40N65SMD TO-3P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075234013
- Артикул
- FGA40N65SMD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FGA40N65SMD
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FGA40N65SMD |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PN |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 349 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 349 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |