FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт [TO-3PN.] [EOL]
![FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт [TO-3PN.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9020003351
- Артикул
- FGA25N120ANTDTU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 6.5
- Корпус
- TO-3P
- Технология/семейство
- NPT Trench
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+150
Цена по запросу
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 6.5 |
| Корпус | TO-3P |
| Технология/семейство | NPT Trench |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 312 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.65 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 190 |