FFB5551, Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306631
- Артикул
- FFB5551
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2 mm
- Серия
- FFB5551
- Высота
- 1 mm
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 220 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | FFB5551 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Структура | npn |
| Power Dissipation NPN | 200мВт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency NPN | 300МГц |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 30hFE |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| DC Ток Коллектора | 200мА |
| Continuous Collector Current NPN | 200мА |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 160В |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |