Моя заявка (0)
FF600R12KE4EBOSA1, IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000899411
Артикул
FF600R12KE4EBOSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
7
Вес, г
0.36
Channel Type
N
Package Type
62 mm
Цена по запросу
(от 44 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Pin Count7
Вес, г0.36
Channel TypeN
Package Type62 mm
ConfigurationCommon Emitter
УпаковкаTray
Number of Transistors2
Выводы БТИЗStud
Тип продуктаIGBT Modules
Transistor ConfigurationCommon Emitter
ПодкатегорияIGBTs
Maximum Power Dissipation20 mW
Торговая маркаInfineon Technologies
Continuous Collector Current600А
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗIGBT 4(Trench/Field Stop)
DC Ток Коллектора600А
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗDual, Common Emitter
Категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage1.75В
Maximum Continuous Collector Current600 A
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Другие названия товара №FF600R12KE4_E SP001500374
Размер фабричной упаковки10
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.75В

Техническая документация