FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564563
- Артикул
- FF600R12KE4BOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- AG-62MM
- Configuration
- Dual
Цена по запросу
(от 46 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon 62 мм, 1200 В, 600 А, двойной IGBT-модуль с TRENCHSTOP™ IGBT4 и диодом, управляемым эмиттером.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | AG-62MM |
| Configuration | Dual |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 kW |
| Continuous Collector Current | 600А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 600А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |