CoolSiCTM Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 1200 V Enhancement EasyDUAL FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801854
- Артикул
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 116 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Dual |
| Part # Aliases: | FF4MR12W2M1HP_B11 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Структура | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 18 |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.15 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |