Type N-Channel MOSFET, 280 A, 1200 V Enhancement FF3MR12KM1HPHPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056800097
- Артикул
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 1
- Configuration
- 2 N-Channel(Half Bridge)
- Mounting Type
- Chassis Mount
Цена по запросу
(от 205 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 1200В (1,2 кВ) 220А с креплением на шасси AG-62MMHB
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 1 |
| Configuration | 2 N-Channel(Half Bridge) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 112mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.44mOhm @ 280A, 18V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Supplier Device Package | AG-62MMHB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 800nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24200pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 280 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |