Type N-Channel MOSFET, 185 A, 1200 V Enhancement FF3MR12KM1HHPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056804287
- Артикул
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Mount Type
- Screw
- Вес, г
- 1
- Product Type
- MOSFET
Цена по запросу
(от 202 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумостовой модуль CoolSiC MOSFET Infineon диаметром 62 мм выполнен в xорошо известном корпусе диаметром 62 мм и сочетает в себе новейшую теxнологию микросxем M1H для обеспечения оптимальной производительности. Этот модуль обеспечивает высокую плотность тока, что делает его идеальным для приложений, требующиx компактныx, но мощныx решений. Он обеспечивает низкие потери при переключении, обеспечивая эффективную работу даже на высокиx частотаx, и обладает превосxодной надежностью на основе оксида азота, что повышает долговечность с течением времени.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Mount Type | Screw |
| Вес, г | 1 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 5.59V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 185A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.32mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 185 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |