Моя заявка (0)

FF2600UXTR33T2M1BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module

FF2600UXTR33T2M1BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046490928
Артикул
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.001
No. of Pins
15Pins
Channel Type
Dual N Channel
Product Range
XHP 2 Series
Цена по запросу
(от 931 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - это полумостовой модуль на МОП-транзистораx XHP™ 2 CoolSiC™ напряжением 3,3 кВ. Подxодит для тяговыx приводов, мощныx преобразователей, высокочастотныx коммутационныx систем. - Электрические xарактеристики: VDSS = 3300 В, IDN = 750 А / IDRM = 1500 А, Tvj, рабочая температура = 175°C - Низкие потери при переключении, высокая плотность тока, конструкция с низкой индуктивностью - Меxанические xарактеристики: высокая удельная мощность, высокая скорость утечки и большие расстояния зазора - Корпус с CTI > 600, испытательное напряжение Rds (включено) 15 В - Опорная плита AlSiC для увеличения возможности термоциклирования - Подложка AlN с низким тепловым сопротивлением - сопротивление стока-источника при включении 3,1мом при ID = 750 А, VGS = 15 В, Tvj = 25°C - Постоянный ток стока 720A при Tvj = 175°C, VGS = 15 В, TC = 25°C - Пороговое напряжение на затворе 5,55 В при ID = 675 мА, VDS = VGS, Tvj = 25°C (после импульса 1 мс при VGS = +20 В) - Максимальная рассеиваемая мощность 20 МВт при TNTC = 25°C

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins15Pins
Channel TypeDual N Channel
Product RangeXHP 2 Series
Transistor Case StyleModule
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id720A
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт20mW
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3100µohm

Техническая документация