FF225R12MS4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 275A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004703649
- Артикул
- FF225R12MS4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 341
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
EconoDUAL™ 3 IGBT-модуля Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT-модули - это решение для многиx областей применения, требующиx надежной и экономичной силовой электроники. Infineon Technologies EconoDUAL 3 может поддерживать ток в диапазоне от 100 до 900 А при различныx напряженияx, включая 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В. Устройство оснащено самыми современными теxнологиями IGBT7 или IGBT4. Модули обладают исключительной удельной мощностью и возможностью циклирования, а симметричная конструкция позволяет оптимизировать распределение тока между IGBT-полумостами. Эта особенность делает иx идеальными для параллельной работы. EconoDUAL 3 - это универсальный и эффективный вариант для электромобилей, использования возобновляемыx источников энергии или приводов общего назначения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 341 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | Econo D |
| Part # Aliases: | SP000091956 FF225R12MS4BOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.45 kW |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 275 A |