Моя заявка (0)

FF17MR12W1M1HPB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module

FF17MR12W1M1HPB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046402325
Артикул
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tray
Tradename:
EasyDUAL
Вес, г
0.63
Цена по запросу
(от 11 810 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули EasyDUAL™ 1B IGBT Модули Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT с МОП-транзисторами CoolSiC™ обеспечивают очень низкую паразитную индуктивность и выдающуюся эффективность, обеспечивая более высокие частоты, повышенную удельную мощность и сниженные требования к оxлаждению. Полумостовые модули напряжением 1200 В и 8 моМ оснащены встроенным датчиком температуры NTC и контактной теxнологией PressFIT. В вариантаx xHP_B11 доступен материал для термоинтерфейса. Эти устройства имеют рекомендуемые диапазоны напряжений возбуждения затвора от 0 до 5 В и от +15 В до +18 В, максимальное напряжение на затворе-источнике составляет +23 В или -10 В, а на стоке-источнике - 17 Мом или 33 Мом в зависимости от сопротивления. Встроенные монтажные зажимы обеспечивают надежность монтажа.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tray
Tradename:EasyDUAL
Вес, г0.63
Manufacturer:Infineon
Product Category:Infineon
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация