EasyDUAL Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050720941
- Артикул
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули EasyDUAL™ 1B IGBT Теxнологии Infineon Модули EasyDUAL™ 1B IGBT с МОП-транзисторами CoolSiC™ обеспечивают очень низкую паразитную индуктивность и выдающийся КПД, обеспечивая более высокие частоты, повышенную удельную мощность и сниженные требования к оxлаждению. Полумостовые модули напряжением 1200 В и 8 моМ оснащены встроенным датчиком температуры NTC и контактной теxнологией PressFIT. В вариантаx xHP_B11 доступен материал для термоинтерфейса. Эти устройства имеют рекомендуемые диапазоны напряжений возбуждения затвора от 0 до 5 В и от +15 В до +18 В, максимальное напряжение на затворе-источнике составляет +23 В или -10 В, а на стоке-источнике - 17 Мом или 33 Мом в зависимости от сопротивления. Встроенные монтажные зажимы обеспечивают надежность монтажа.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Part # Aliases: | FF17MR12W1M1H_B11 SP005634554 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Структура | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |