FF150R12KE3G_B2, IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005073851
- Артикул
- FF150R12KE3G_B2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 341
Цена по запросу
(от 20 630 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 341 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Part # Aliases: | SP000100759 FF150R12KE3GB2HOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 780 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 225 A |