FF1200R12IE5, IGBT Modules 1200 V, 1200 A dual IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005073847
- Артикул
- FF1200R12IE5
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, кг
- 1.5
- Продукт
- IGBT Silicon Modules
- Упаковка
- Tray
- Вид монтажа
- Chassis Mount
Цена по запросу
(от 180 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Вес, кг | 1.5 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PrimePACK |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Другие названия товара № | FF1200R12IE5BPSA1 SP000976764 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1200 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |