Моя заявка (0)

Infineon MOSFET, 150 A, 1200 V AG-EASY1BS-1 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Infineon MOSFET, 150 A, 1200 V AG-EASY1BS-1 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063744782
Артикул
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Half-Bridge Module
Brand:
Infineon Technologies
Product:
Power MOSFET Modules
Packaging:
Tray
Цена по запросу
(от 28 480 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули 1200 В CoolSiC™ От Infineon Technologies Модули 1200 В CoolSiC™ - это модули на МОП-транзистораx из карбида кремния (SiC), которые обеспечивают высокий уровень эффективности и гибкости системы. Эти модули оснащены цепями, близкими к пороговым значениям (NTC), и контактной теxнологией PressFIT. Модули CoolSiC отличаются высокой плотностью тока, лучшими в своем классе потерями при переключении и проводимости, а также низкой индуктивностью. Эти модули обеспечивают высокочастотную работу, повышенную удельную мощность и оптимизированное время цикла разработки и стоимость.

Технические параметры

Type:Half-Bridge Module
Brand:Infineon Technologies
Product:Power MOSFET Modules
Packaging:Tray
Вес, г1
Technology:SiC
Package TypeAG-EASY1BS-1
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeClamp Mount
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Mounting Style:Press Fit
Part # Aliases:FF08MR12W1MA1_B11A SP002314006
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Vf - Forward Voltage:4.4 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity:24
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +20 V
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Continuous Drain Current150 A

Техническая документация