FDZ661PZ, 20V 2.6A 108mOhm@4.5V,2A 1.3W 700mV@250uA 53pF@10V P Channel 416pF@10V 6.3nC@4.5V -55°C~+150°C@(Tj) WLCSP-4(0.8X0.8) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646364
- Артикул
- FDZ661PZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- 1PCSPChannel
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 2,6А 108mOhm@4.5V,2 А 1,3 Вт 1.2V@250uA 1-канальные полевые транзисторы WLCSP-4(0,8X0,8) ROHS
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | 1PCSPChannel |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Ball |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Package Width | 0.8 mm |
| Package Length | 0.8 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | WLCSP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Standard Package Name | CSP |
| Power Dissipation (Pd) | 1.3W |
| Typical Fall Time (ns) | 33 |
| Typical Rise Time (ns) | 6.3 |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.8nC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 555pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.6A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.3@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.9 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 68 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 416@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 140@4.5V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 6000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 108mΩ@4.5V, 2A |