FDY102PZ, Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 3-Pin SOT-523FL T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306625
- Артикул
- FDY102PZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- FDY102PZ
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 710 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | FDY102PZ |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Series: | FDY102PZ |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 2.9 ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 2.9 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Fall Time: | 2.9 ns |
| Rise Time: | 2.9 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-523F |
| Product Type | MOSFET |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-523F-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 0.625(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.1 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 20(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Continuous Drain Current | 0.83(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±8(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 830 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 830 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.83 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |