Моя заявка (0)
FDY1002PZ, Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002306623
Артикул
FDY1002PZ
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Width
1.2mm
Series
PowerTrench
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 760 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 20V 0,83A 6-контактный SOT-563F T/R

Технические параметры

PPAPNo
Width1.2mm
SeriesPowerTrench
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSC-89-6
ConfigurationDual
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-563F
Process TechnologyPowerTrench
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)2.9
Особенности-
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation625 mW
Typical Gate Charge @ Vgs2.2 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)625
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)2.2@4.5V
Maximum Drain Source Resistance1.8 Ω
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)3.5
Maximum Continuous Drain Current830 mA
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.83
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)100@10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)500@4.5V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация