Моя заявка (0)

FDWS86369-F085, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; 107W; DFNW8

FDWS86369-F085, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; 107W; DFNW8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073210286
Артикул
FDWS86369-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный источник питания для поверxностного монтажа 80 В 65 А (Tc) мощностью 107 Вт (Tj) 56

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max)107W(Tj)
Supplier Device PackagePower56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2470 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A(Tc)

Техническая документация