FDWS86369-F085, MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006396173
- Артикул
- FDWS86369-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 192,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный источник питания для поверxностного монтажа 80 В 65 А (Tc) мощностью 107 Вт (Tj) 56
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 65A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 107W(Tj) |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |