N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 8-Pin DFN FDWS86068-F085
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029560195
- Артикул
- FDWS86068-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.3mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 470 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MOSFET PowerTrench® 100 В, 80 А, 4,5 Мом, Типичный RDS(вкл.) = 5,2 Мом при VGS = 10 В, ID = 80 А, Типичный Qg(суммарный ток) = 31 нМ при VGS = 10 В, ID = 80 А
Технические параметры
| Width | 6.3mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |