FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА 0.35Вт [SOT-23]
![FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА 0.35Вт [SOT-23]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000107374
- Артикул
- FDV303N
- Бренд
- Fairchild Semiconductor
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 1.45
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FDV303N от производителя ONSEMI – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает током стока до 0,68 А и напряжением сток-исток 25 В, что позволяет использовать его в различных электронных схемах. Мощность транзистора составляет 0,35 Вт. Компактный корпус SOT23 гарантирует легкую интеграцию в печатные платы. Транзистор FDV303N идеален для поверхностного монтажа в мобильных устройствах, усилителях и других электронных проектах, где требуется надежное управление током при низком напряжении. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.68 Напряжение сток-исток, В 25 Мощность, Вт 0.35 Корпус SOT23
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 1.45 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.65…1.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.68 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/0.5А, 4.5В |