FDV303N, SOT-23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025167128
- Артикул
- FDV303N
- Бренд
- HXY MOSFET
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 350mW
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.3nC@4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 680mA |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 450mΩ@4.5V, 500mA |
| Крутизна характеристики, S | 1.45 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 450mΩ@4.5V, 500mA |