Моя заявка (0)

FDT86246L, 150V 2A 189mOhm@10V,2A 2.2W 1.6V@250uA 2pF@75V N Channel 238pF@75V 2.3nC@0~4.5V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 MOSFETs

FDT86246L, 150V 2A 189mOhm@10V,2A 2.2W 1.6V@250uA 2pF@75V N Channel 238pF@75V 2.3nC@0~4.5V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062458049
Артикул
FDT86246L
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Type
1PCSNChannel
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 142,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

150 В 2 А 189 Мом при 10 В, 2 А 1 Вт 2.5V@250uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов SOT-223 ROHS

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Type1PCSNChannel
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.18
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Mounting TypeSurface Mount
Product RangePowerTrench
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Transistor Case StyleSOT-223
Power Dissipation (Pd)1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max)1W(Ta)
Supplier Device PackageSOT-223-4
Drain Source Voltage Vds150V
Operating Temperature Max150°C
Total Gate Charge (Qg@Vgs)6.3nC@10V
Continuous Drain Current Id2A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)335pF@75V
Continuous Drain Current (Id)2A
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds335 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A(Ta)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)2pF@75V

Техническая документация