FDT86246L,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001631170
- Артикул
- FDT86246L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Type
- 1PCSNChannel
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 178 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 2A; Напряжение источника стока Vds: 150 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,189 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 1,6 В; Pow
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Type | 1PCSNChannel |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.18 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Range | PowerTrench |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Transistor Case Style | SOT-223 |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 228mOhm @ 2A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Drain Source Voltage Vds | 150V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.3nC@10V |
| Continuous Drain Current Id | 2A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 335pF@75V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 335 pF @ 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A(Ta) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF@75V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 189mΩ@10V, 2A |