Моя заявка (0)

FDT86246, 150V 2A 194mOhm@10V,2A 2.2W 3.1V@250uA 1.6pF@75V N Channel 161pF@75V 1.7nC@0~5V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 MOSFETs

FDT86246, 150V 2A 194mOhm@10V,2A 2.2W 3.1V@250uA 1.6pF@75V N Channel 161pF@75V 1.7nC@0~5V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646310
Артикул
FDT86246
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.16
Длина
6.5 mm
Серия
FDT86246
Высота
1.8 mm
Цена по запросу
(от 26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.16
Длина6.5 mm
СерияFDT86246
Высота1.8 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.5 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора2.9 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.2 W
Id - непрерывный ток утечки2 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки4000
Rds Вкл - сопротивление сток-исток236 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)194мОм

Техническая документация