FDT86244, MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833993
- Артикул
- FDT86244
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDT86244
Цена по запросу
(от 115,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Width | 6.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDT86244 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 2.4 ns |
| Rise Time: | 1.3 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.255 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 2.2Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.2W |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 2.2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 395pF@75V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.8 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 237 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.106Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 128 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 2.8А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.2Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.106Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |