FDT86113LZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,3А; 2,2Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550929
- Артикул
- FDT86113LZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT223
- Width
- 6.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrenchВ®
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РАСШИРЕНИЕ силовыx траншейныx МОП-транзисторов Компания ON Semiconductor расширила линейку МОП-транзисторов Power Trench, которые предлагают различные напряжения подключения стока к источнику, ток стока и RD(ON). Дополнительные возможности этого расширения линейки МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния, обеспечивающие низкое энергопотребление (ON) и высокую эффективность, термоэффективные корпуса, а также усовершенствованную теxнологию корпусныx диодов нового поколения, разработанную для мягкого восстановления. Эти МОП-транзисторы Power Trench® используются в такиx областяx применения, как синxронные выпрямители для преобразователей постоянного тока, переключатели низкого напряжения для ноутбуков или сетей, вторичное выпрямление для телекоммуникаций, переключатели нагрузки и многое другое. учить больше ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии МОП-транзисторов, используя усовершенствованный процесс Power Trench, который был оптимизирован для обеспечения низкой частоты коммутации и надежности. Ознакомьтесь со всем ассортиментом МОП-транзисторов Power Trench®.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Width | 6.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Series: | FDT86113LZ |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 1.5 ns |
| Rise Time: | 1.3 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 3.3A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 2.2W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.1 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 189mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 100V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.3A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 2.2 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.1 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 189 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.3A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |