FDT86106LZ, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074750547
- Артикул
- FDT86106LZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.12
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- FDT86106LZ
- Высота
- 1.8 mm
Цена по запросу
(от 235,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.12 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | FDT86106LZ |
| Высота | 1.8 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.2 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 108 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |