Моя заявка (0)
FDT86106LZ, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833992
Артикул
FDT86106LZ
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.39
Длина
6.5 mm
Серия
FDT86106LZ
Высота
1.8 mm
Цена по запросу
(от 170,85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.39
Длина6.5 mm
СерияFDT86106LZ
Высота1.8 mm
Ширина3.5 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
ОсобенностиTrenchFET
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора7 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.2 W
Id - непрерывный ток утечки3.2 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток108 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация