Моя заявка (0)

FDT86106LZ, Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

FDT86106LZ, Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002307800
Артикул
FDT86106LZ
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
6.5 mm
Серия
FDT86106LZ
Высота
1.8 mm
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 220 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияFDT86106LZ
Высота1.8 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.5 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора7 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.2 W
Id - непрерывный ток утечки3.2 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток108 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.2
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация