Моя заявка (0)
FDT86102LZ, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833991
Артикул
FDT86102LZ
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
4
Вес, г
0.01
Длина
6.5 mm
Серия
FDT86102LZ
Цена по запросу
(от 182 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Pin Count4
Вес, г0.01
Длина6.5 mm
СерияFDT86102LZ
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Высота1.8 mm
Ширина3.5 mm
размеры3.7x6.7x1.7mm
Power Dissipation2.2Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
разрешениеPower MOSFET
Вид монтажаSMD/SMT
тип монтажаSurface Mount
ОсобенностиTrenchFET
Тип продуктаMOSFET
тип упаковкиSOT-223
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Typical Gate Charge @ Vgs17 nC V @ 0 > 10
Typical Turn-On Delay Time6.6 ns
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time19 ns
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
Maximum Drain Source Voltage100 V
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора25 nC
Maximum Drain Source Resistance46 m
Typical Input Capacitance @ Vds1118 pF V @ 50
Drain Source On State Resistance0.022Ом
Maximum Continuous Drain Current6.6 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6.6А
Рассеиваемая Мощность2.2Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.4В
Pd - рассеивание мощности2.2 W
Id - непрерывный ток утечки6.6 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Крутизна характеристики, S26
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки4000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность2.2 W
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.022Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.26 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация