Моя заявка (0)

FDT458P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 3Вт, SOT223

FDT458P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 3Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063462885
Артикул
FDT458P
Бренд
ON Semiconductor***
Series
PowerTrenchВ®
FET Type
P-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±20V
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

SeriesPowerTrenchВ®
FET TypeP-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.16
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerON Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250ВµA
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max)3W(Ta)
Supplier Device PackageSOT-223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds205pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C3.4A(Ta)

Техническая документация