FDT458P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002614649
- Артикул
- FDT458P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- PowerTrenchВ®
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 110,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | PowerTrenchВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.16 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Корпус | SOT223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.4A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |