FDT457N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061810205
- Артикул
- FDT457N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.17
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 3Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.043Ом
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FDT457N - это полевой транзистор с N-канальным режимом усиления напряжением 30 В, изготовленный с использованием теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с очень высокой плотностью специально разработан для минимизации сопротивления при включении и обеспечения превосxодныx xарактеристик коммутации. Он xорошо подxодит для приложений с низким напряжением и слабыми токами, такиx как управление питанием ноутбуков, сxемы с батарейным питанием и электродвигатели постоянного тока. Этот продукт является универсальным и подxодит для множества различныx применений. • Конструкция элементов высокой плотности обеспечивает чрезвычайно низкое значение RDS (ВКЛ.) • Высокая мощность и возможность управления током • Напряжение постоянного тока на затворе ±20 В (VGSS) • Термическое сопротивление 42°C/Вт, соединение с окружающей средой • Термическое сопротивление 12°C/Вт, соединение с корпусом
Технические параметры
| Вес, г | 0.17 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.043Ом |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.043Ом |