FDT457N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540971
- Артикул
- FDT457N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.17
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SOT223
- Power Dissipation
- 3Вт
Цена по запросу
(от 139,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.17 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SOT223 |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.043Ом |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.043Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |