FDT439N, MOSFETs SOT-223 N-CH 30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833990
- Артикул
- FDT439N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 3.56mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- -
Цена по запросу
(от 105,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 6,3А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 3.56mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | - |
| Series: | FDT439N |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.85 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDT439N_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 72 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.038Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 6.3А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.3A(Ta) |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 670мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |