FDT3612, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 3Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056520725
- Артикул
- FDT3612
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDT3612
- Fall Time:
- 4.5 ns
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDT3612 |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.44 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | FDT3612_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.12Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.12Ом |