FDT1600N10ALZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; 10,42Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013788725
- Артикул
- FDT1600N10ALZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT223
- Width
- 3.7mm
- Series
- PowerTrench
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 144,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Width | 3.7mm |
| Series | PowerTrench |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT223 |
| Drain current | 3.5A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 10.42W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 100V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 10.42W(Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 10.42 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.77nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 375 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.121Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 5.6А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.6A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 10.42Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.121Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 10.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |