FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
![FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001185611
- Артикул
- FDS9926A-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- Enhancement Mode
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Крутизна характеристики, S | 27 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом/7.1А, 4.5В |