FDS8949, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 40В, 6А, 2Вт, SO8, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540966
- Артикул
- FDS8949
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- Family
- Transistors-FETs, MOSFETs-Arrays
- Series
- PowerTrench®
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
Цена по запросу
(от 116,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи на автомобильном рынке с полным соблюдением стандартов качества, безопасности и надежности.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Arrays |
| Series | PowerTrench® |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.11 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Standard Package | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 10V |
| Особенности | TrenchFET |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.7 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 955pF @ 20V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 29 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Крутизна характеристики, S | 22 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |