FDS89161, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 100В, 2,7А, 31Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002500648
- Артикул
- FDS89161
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SO8
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDS89161
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 219 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 100В, 2,7А, 31Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDS89161 |
| Mounting | SMD |
| Technology | PowerTrench® |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.12 |
| Gate charge | 4.1nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 2.7A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Power dissipation | 31W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.7 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 176mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |